Dobrze,że się pokazałeś.Twoje informacje są bardzo cenne.
Szkoda,że nie pokazałeś kalkulacji na 80m.
W załączniku moja kalkulacja dla 80m.
,
Dopiero po przyjrzeniu się na ten schemat załapałem sens Twojego
dziwnego zapytania (dla mnie) o metodę pomiaru.
Nie robiłem podziału filtru, tylko pomierzyłem cały.
Przyjąłem po jednej stronie 50om a po drugiej 16.5om tak jak wynika
z mojej kalkulacji.
To mamy już pierwszy krok pozytywny.
Mam przygotowany projekt do odpalenia Tx-a.
Gdzieś dowiedziałem się,że na tym jednym IRLML2060 można uzyskać 7W,
ale nie sądzę żeby tak było.

Na grupie poświęconej uSDX DL2MAN opisuje jak wygląda pomiar u niego.

Fragment jego wypowiedzi:

OK, mierząc sieć (y) klasy E za pomocą NanoVNA, musisz wziąć pod uwagę kilka szczegółów:

1. Włącz TRX, przełącz na pasmo, które chcesz mierzyć (niech przekaźnik się przełączy), a następnie wyłącz i odłącz płytkę RF
2. Mierz płytkę RF tylko samodzielnie, nigdy gdy TRX jest włączony
3. Podłącz port S11 swojego NanoVNA do „RX RF”, a port S21 do złącza anteny

Ustaw Nano VNA Trace 1 na S11 SWR i Trace 2 na S21 Logmag
NanoVNA ma wejście 50-omowe, ale wejście naszej sieci klasy E jest bardziej zbliżone do 11 omów, więc częstotliwość rezonansowa wydaje się być przesunięta (niższa)
Dzieje się tak, ponieważ sieć klasy E składa się z serii LC, która jest rezonansowa przy żądanej częstotliwości (Z = 0) i dodatkowej lub odjętej indukcyjności (w tej szeregowej cewce rezonansowej), aby wytworzyć obciążenie 11 omów.
W przypadku Nano VNA wygląda to tak, jakby rezonował na innej (pobliskiej) częstotliwości.
(...)
Więc nie ulegaj pokusie, aby dostroić swoją sieć rezonansu szeregowego za pomocą Nano VNA. Nano VNA ma 50 omów, wejście klasy E nie.

I TAK, jeśli zmierzysz moc TX PONIŻEJ częstotliwości docelowej, zwykle uzyskasz WYŻSZĄ moc wyjściową, ponieważ obciążenie jest niższe.
Ale sieć jest zaprojektowana dla określonego obciążenia, a uruchamianie jej przy niższym obciążeniu jest tym samym, co używanie jej z niedopasowaną anteną: bardzo niepożądane dla tranzystora dla FET.

To jest przykład mojej płytki RF, o najwyższej jak dotąd zmierzonej wydajności (przełączona na 7MHz - ze zmierzoną sprawnością 91,8%)
Przekonaj się sam: z poniższych pomiarów można by pomyśleć, że ta płytka drukowana RF jest gotowa do wyrzucenia przez okno.
Sieć została zaprojektowana i przetestowana dla części pasma CW.
Zgodnie z tym „pomiarem” rezonansuję ze złym SWR 1: 1,9 na 7,85MHz

I tu są jego zdjęcia (mam nadzieję, że dl2man nie będzie miał pretensji o to, że przekopiowałem na nasze forum jego zdjęcia).

Oto mój sposób pomiaru

Prawda,że taki sam.
W nano jest pokazany SWR i przebieg.
W MAX-6 mogę załączyć dodatkowo impedancję|Z| i odczytać,Ustawić poziom 50om,
wartości bierne,czynne,fazę itp.
Jest ten odczyt bogatszy.
U dl2man tłumienie drugiej harmonicznej jest na poziomie 61dB.
U mnie po zestrojeniu jest na poziomie 65dB.
Ja oglądam i steruję programem pomiarowym z poziomu komputera (wygodnie i czytelnie,bo duże)
To ma znaczenie pośrednie, nieobowiązkowe.

Temat już tu kilka razy poruszany,

(14-04-2021 10:07)SP9RQA napisał(a):  Więc nie ulegaj pokusie, aby dostroić swoją sieć rezonansu szeregowego za pomocą Nano VNA. Nano VNA ma 50 omów, wejście klasy E nie.

http://people.physics.anu.edu.au/~dxt103...lass-e.php

Drogi Karolu, a co jest zamieszczone w post:#151
Jeżeli drażni to więcej nie pytam.

(14-04-2021 11:05)SP6AUO napisał(a):  Drogi Karolu, a co jest zamieszczone w post:#151
Jeżeli drażni to więcej nie pytam.

A no i ok, czyli już wyjaśnione. Czasami zdarza mi się czytać od dołu do góry, przepraszam.

Z tego co się zdążyłem zorientować to nie ma jednych obowiązujących wzorów do obliczania tego typu wzmacniaczy.
Są różne opracowania i dają różne wyniki. Ponoć te wg WA0ITP (z tego arkusza) dają dość dobre wyniki.

(14-04-2021 14:08)SP9RQA napisał(a):  Z tego co się zdążyłem zorientować to nie ma jednych obowiązujących wzorów do obliczania tego typu wzmacniaczy.
Są różne opracowania i dają różne wyniki. Ponoć te wg WA0ITP (z tego arkusza) dają dość dobre wyniki.

Może ktoś mnie uświadomi , bo się w tym wszystkim pogubiłem , czy te wyniki z arkusza odnoszą się do jednego tranzystora np. BS170 czy jak będą trzy to się rezystancja zmieni i należy przyjąć inne wartości ???

(14-04-2021 15:32)SP7GRV napisał(a):  

(14-04-2021 14:08)SP9RQA napisał(a):  Z tego co się zdążyłem zorientować to nie ma jednych obowiązujących wzorów do obliczania tego typu wzmacniaczy.
Są różne opracowania i dają różne wyniki. Ponoć te wg WA0ITP (z tego arkusza) dają dość dobre wyniki.

Może ktoś mnie uświadomi , bo się w tym wszystkim pogubiłem , czy te wyniki z arkusza odnoszą się do jednego tranzystora np. BS170 czy jak będą trzy to się rezystancja zmieni i należy przyjąć inne wartości ???

Masz w arkuszu gwiazdkę i podpowiedź:
Can be paralleled for more output. Calculate the parallel Coss and Rdson.

Więc dla BS170 pojemności musisz dodać, a Rdson zrównoleglić. Czyli masz Rdson=0.4R i Coss= 51pF

(14-04-2021 15:54)SP9RQA napisał(a):  

(14-04-2021 15:32)SP7GRV napisał(a):  

(14-04-2021 14:08)SP9RQA napisał(a):  Z tego co się zdążyłem zorientować to nie ma jednych obowiązujących wzorów do obliczania tego typu wzmacniaczy.
Są różne opracowania i dają różne wyniki. Ponoć te wg WA0ITP (z tego arkusza) dają dość dobre wyniki.

Może ktoś mnie uświadomi , bo się w tym wszystkim pogubiłem , czy te wyniki z arkusza odnoszą się do jednego tranzystora np. BS170 czy jak będą trzy to się rezystancja zmieni i należy przyjąć inne wartości ???

Masz w arkuszu gwiazdkę i podpowiedź:
Can be paralleled for more output. Calculate the parallel Coss and Rdson.

Więc dla BS170 pojemności musisz dodać, a Rdson zrównoleglić. Czyli masz Rdson=0.4R i Coss= 51pF

Dzięki serdeczne , tak byłem zajęty wyliczeniami i zafascynowany programem , że nie doczytałem .