Synteza na układzie Si-570

[SP6FRE]

Ponieważ czekam na układy Si570 to zajmuję się nimi na razie teoretycznie. Mam dwa pytania związane ze stosowaniem tych układów. Po pierwsze, jak bardzo powtarzalna jest częstotliwość wewnętrznego wzorca określana na 114,285MHz?. Po drugie jak jest ze stabilnością termiczną układu. Maksymalna zmiana częstotliwości przy zmianie temperatury w zakresie -40/+85 wynosi 50ppm dla wersji A oraz 30ppm dla wersji B. Oznacza to, że dla zmiany o 1 stopień należy się spodziewać zmiany o ok. 0.8ppm co oznacza na częstotliwości 100MHz tylko (lub aż) 40 Hz lub 20Hz. Pytam o to bo zamierzając robić układ działający do 160MHz raczej nie będę stosował stabilizacji termicznej. I na koniec uwaga dotycząca współpracy układu z wyjściem CMOS z następnymi stopniami. Wydaje się, że prądy wyjściowe w stanie H i L dla tej wersji (po 32mA) pozwolą na co najmniej wysterowanie układu TTL. Chcę na płytce generatora umieścić dzielnik 74AC74 aby zejść z częstotliwością niżej niż 3MHz.
L.J.