Od bardzo dawna nie spotkałem takiego wątku w którym ktoś dogłębnie by tłumaczył zasady konstrukcji wzmacniacza Pa . Jak wynika z wypowiedzi kol. Henryka --rezystancja widziana przez stopień sterujący będzie wynosiła około 330:4=82,5 omów-- "rezystancja" no niech będzie -stopień drivera musi pracować przy dużym prądzie chyba że zastosujemy transformator który nam te "oporności" dopasuje i spowoduje że oporność wejściowa irf-a ( w tym konkretnym układzie) nie obciąży drivera co w efekcie poprawi liniowość układu.
Tak jak już było to wspomniane narysowanie schematu zastępczego ma kluczowe znaczenie przy konstrukcji każdego wzmacniacza.
Operujemy w tej dyskusji tylko kilkoma tranzystorami wypadało by zapytać o kryterium ich wyboru .
Pewnie cena i dostępność gabaryty ale to chyba najmniej istotne parametry pojemności własne , struktura konstrukcji samego tranzystora już są zaznaczone, jakie jeszcze parametry są istotne?
Tak jak już było to wspomniane narysowanie schematu zastępczego ma kluczowe znaczenie przy konstrukcji każdego wzmacniacza.
Operujemy w tej dyskusji tylko kilkoma tranzystorami wypadało by zapytać o kryterium ich wyboru .
Pewnie cena i dostępność gabaryty ale to chyba najmniej istotne parametry pojemności własne , struktura konstrukcji samego tranzystora już są zaznaczone, jakie jeszcze parametry są istotne?