@SQ5KVS "takie wzmocnienie" oryginału p.cz. F6CER zostało zredukowane o jeden stopień mosfeta, tak jak opisywałem - redukujemy układ do dwóch mosfetów po filtrze SSB... wzmocnienie p.cz. nie jest już "takie". P.cz. jest planowane na 9 Mhz, a nie na 5 Mhz.
Kolejna zmiana - inaczej niż w oryginale - pierwszy mosfet ten po filtrze (SSB) - G1 (czuły punkt) nie jest na wysokiej impedancji obwodu rezonansowego (który został usunięty) - jest na impedancji 510 ohm - rezystor zamykający filtr SSB. Natomiast mosfet wejściowy całego układu (przed filtrem SSB) ma od strony G1 upakowane elementy smd jeden przy drugim "bez ścieżkowo", najdłuższe połączenie jest od cewki obwodu wejściowego 7x7 215 do kondensatora sprzęgającego i ścieżka ma długość równe 2mm. Celowo zmieniłem cały układ w elementy smd.
Dodatkowo - PCB na górnej części jest cała wylana masą i przelotkowana (w przeciwieństwie do rozwiązania pierwowzoru tego PCB z przed kilku lat) - co stanowi swoisty ekran dla ścieżek na dolnej stronie PCB. Skłaniam się raczej do klasycznych rozwiązań, czyli jeśli ktoś chce - to całą p.cz. zamknąć w pudełku w ekranie.
Pośrodku filtru (SSB jak i CW) jest pasek otwartej soldermaski od strony ścieżek (dolna strona) - można wlutować dodatkową przegrodę ekranującą. Wg. pomiarów izolacji na PCB pierwszej wersji pomiędzy ścieżkami wej/wyj filtru SSB była izolacja powyżej 80dB, co jest większe od możliwości tłumienia filtrów. Pierwsza wersja PCB (z trzema mosfetami) na testach nie wykazywała "łapania" sygnałów z 9 Mhz na ścieżkach, a była na wysokich "impedancjach".
Nie podzielam obaw Karola, że będzie "łapanie" sygnałów niepożądanych przez ścieżki.
Ponadto, testowałem współczesne rozwiązanie fabryczne jakim jest FTDX10 - mający pierwszą p.cz. na 9 Mhz (wrócono do klasyki rozwiązań z niską pierwszą p.cz.) - to co najważniejsze, YAESU stosuje w nim "pułapkę p.cz." na wejściu odbiornika. Na tej częstotliwości FTDX10 ma ponad 40 dB mniejszą czułość niż w pasmach. Należało by zatem wzorem urządzeń fabrycznych jednak uwzględniać pułapkę - eliminator p.cz. od strony wejścia antenowego...
Kolejna zmiana - inaczej niż w oryginale - pierwszy mosfet ten po filtrze (SSB) - G1 (czuły punkt) nie jest na wysokiej impedancji obwodu rezonansowego (który został usunięty) - jest na impedancji 510 ohm - rezystor zamykający filtr SSB. Natomiast mosfet wejściowy całego układu (przed filtrem SSB) ma od strony G1 upakowane elementy smd jeden przy drugim "bez ścieżkowo", najdłuższe połączenie jest od cewki obwodu wejściowego 7x7 215 do kondensatora sprzęgającego i ścieżka ma długość równe 2mm. Celowo zmieniłem cały układ w elementy smd.
Dodatkowo - PCB na górnej części jest cała wylana masą i przelotkowana (w przeciwieństwie do rozwiązania pierwowzoru tego PCB z przed kilku lat) - co stanowi swoisty ekran dla ścieżek na dolnej stronie PCB. Skłaniam się raczej do klasycznych rozwiązań, czyli jeśli ktoś chce - to całą p.cz. zamknąć w pudełku w ekranie.
Pośrodku filtru (SSB jak i CW) jest pasek otwartej soldermaski od strony ścieżek (dolna strona) - można wlutować dodatkową przegrodę ekranującą. Wg. pomiarów izolacji na PCB pierwszej wersji pomiędzy ścieżkami wej/wyj filtru SSB była izolacja powyżej 80dB, co jest większe od możliwości tłumienia filtrów. Pierwsza wersja PCB (z trzema mosfetami) na testach nie wykazywała "łapania" sygnałów z 9 Mhz na ścieżkach, a była na wysokich "impedancjach".
Nie podzielam obaw Karola, że będzie "łapanie" sygnałów niepożądanych przez ścieżki.
Ponadto, testowałem współczesne rozwiązanie fabryczne jakim jest FTDX10 - mający pierwszą p.cz. na 9 Mhz (wrócono do klasyki rozwiązań z niską pierwszą p.cz.) - to co najważniejsze, YAESU stosuje w nim "pułapkę p.cz." na wejściu odbiornika. Na tej częstotliwości FTDX10 ma ponad 40 dB mniejszą czułość niż w pasmach. Należało by zatem wzorem urządzeń fabrycznych jednak uwzględniać pułapkę - eliminator p.cz. od strony wejścia antenowego...