To forum używa plików cookies
To forum wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji o Twoim logowaniu, jeśli jesteś zarejestrowany, oraz informacji o Twojej ostatniej wizycie, jeśli nie jesteś zalogowany. Pliki cookies to niewielkie pliki tekstowe zapisywane na Twoim komputerze; cookies ustawiane przez to forum mogą być używane wyłącznie na tej stronie i nie stanowią zagrożenia dla bezpieczeństwa. Cookies na tym forum śledzą również, które tematy zostały przez Ciebie przeczytane oraz kiedy miało to miejsce. Prosimy o potwierdzenie, czy akceptujesz, czy odrzucasz zapisywanie tych plików cookies.

Niezależnie od wyboru w Twojej przeglądarce zostanie zapisany plik cookie, aby zapobiec ponownemu zadawaniu tego pytania. W każdej chwili będziesz mógł zmienić ustawienia cookies, korzystając z linku w stopce strony.

Ocena wątku:
  • 0 głosów - średnia: 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
Wzmacniacz pośr. (IF) wg. F6CER, ew. hycas wg. W7ZOI
Nie chodziło mi o szumy elementów biernych (które jakieś są, ale w części przypadków jest zaniedbywalny), tylko o stratę wzmocnienia wywołaną obniżeniem impedancji poprzez ów rezystor który siedzi w obwodzie rezonansowym. Jeśli na wysokiej impedancji obwodu (np. 10k) mieliśmy wzmocnienie +30dB, a z owym rezystorem +20dB to jest to jak wpięcie tłumika 10dB w ten tor, co siłą rzeczy nam zmieni liczbę szumową. Pytanie jak bardzo i czy w ogóle ma znaczenie, to jest temat do dyskusji. Często spotykany przykład układu o niskim wzmocnieniu do dopasowania mieszacza do filtru kwarcowego to FET (np. 2x J310A) w układzie o wspólnej bazie, który w drenie ma obwód rezonansowy (albo nawet samą indukcyjność), równolegle z rezystancją taka jak filtr kwarcowy po nim.

Btw taki artykuł z RE, na grupie kilka razy publikowanyhttp://sp-hm.pl/attachment.php?aid=1200
Nie rozumiem - nie robię. Chyba że robię żeby zrozumieć.
Cytuj


Wiadomości w tym wątku

Skocz do:


Użytkownicy przeglądający ten wątek: 8 gości