Te tranzystory mają impedancję wejściową określoną głównie przez pojemność Cgs która jest rzędu co najmniej kilkaset pF (nie sprawdzałem w data sheet, ale na pewno jest co najmniej tego rzędu). Zasadniczo taki mosfet nie jest sterowany napięciowo lecz prądowo z dominującą składową pojemnościową. Stosowanie na wejściu prostego transformatora nie da spodziewanego efektu nawet jeżeli będziemy manipulowali jego przekładnią. Żeby uzyskać jakikolwiek efekt trzeba w obwodzie bramki (kazdego z tranzystorów) wstawić ogniwo PI-filtra które w pewnym zakresie częstotliwości dopasuje niskoomową bramkę do transformatora wejściowego. Ogniwo powinno być policzone dla najwyższej przewidywanej częstotliwości pracy, powiedzmy 14MHz. Ponieważ nie mamy bezpośrednich danych, będzie trochę kombinacji ale metodą prób i błędów będzie można przynajmniej oszacować parametry ogniwa PI. Wstępnie posłużyłbym się RF-Sim.
Mam pewne doświadczenia z tranzystorami IRF510 w których występował identyczny problem - nie można było uzyskać sensownie wyrównanej mocy w zakresie pasm 80-20m i wyżej. Ogniwo Pi filtra na wejściu i pojemnościowa kompensacja indukcyjności rozproszonej transformatora wyjściowego ostatecznie poprawiło pracę wzmacniacza ale też skutecznie wyleczyło mnie z takich półśrodków jak mosfety przełączające zamiast dedykowanych tranzystorów w.cz. To było jakieś 20 lat temu...
Mam pewne doświadczenia z tranzystorami IRF510 w których występował identyczny problem - nie można było uzyskać sensownie wyrównanej mocy w zakresie pasm 80-20m i wyżej. Ogniwo Pi filtra na wejściu i pojemnościowa kompensacja indukcyjności rozproszonej transformatora wyjściowego ostatecznie poprawiło pracę wzmacniacza ale też skutecznie wyleczyło mnie z takich półśrodków jak mosfety przełączające zamiast dedykowanych tranzystorów w.cz. To było jakieś 20 lat temu...