Witam!
Zarówno udostępniona dokumentacja jak i pokazany generator przywołują miłe wspomnienia również w moim przypadku.
Pokazane tranzystory ze zdrapaną farbą to jeden z modeli TG50-55 ale stawiam na TG50 lub TG53 jako najtańsze.
Zwracam kolegom uwagę na dość powszechną wtedy praktykę, ratowania tranzystora, któremu, męczonemu prawdopodobnie wielokrotnie w różnych innych wcześniejszych układach, odpadła nóżka połączona z obudową - bazą. Ta "subtelna" pętla z drutu owiniętego wokół obudowy tranzystora to zastępcze połączenie bazy tranzystora.
Często zdarzało się, że właśnie to wyprowadzenie, zgrzane bezpośrednio do spodu obudowy ulegało odłamaniu a jedyny ratunek to styk mechaniczny, np. za pomocą takiej pętelki, albo ryzykowne lutowanie wprost do obudowy co mogło się skończyć przegrzaniem delikatnej struktury germanowo-indowej. Prawdopodobnie więc z tego powodu farba z obudowy został zdarta aby umożliwić dobry styk bazy ale fakt wyprowadzenia bazy na obudowę był również źródłem problemów bo stosunkowo duża metalowa obudowa tranzystora stwarzała znaczne ryzyko przypadkowego zwarcia.
L.J.
Zarówno udostępniona dokumentacja jak i pokazany generator przywołują miłe wspomnienia również w moim przypadku.
Pokazane tranzystory ze zdrapaną farbą to jeden z modeli TG50-55 ale stawiam na TG50 lub TG53 jako najtańsze.
Zwracam kolegom uwagę na dość powszechną wtedy praktykę, ratowania tranzystora, któremu, męczonemu prawdopodobnie wielokrotnie w różnych innych wcześniejszych układach, odpadła nóżka połączona z obudową - bazą. Ta "subtelna" pętla z drutu owiniętego wokół obudowy tranzystora to zastępcze połączenie bazy tranzystora.
Często zdarzało się, że właśnie to wyprowadzenie, zgrzane bezpośrednio do spodu obudowy ulegało odłamaniu a jedyny ratunek to styk mechaniczny, np. za pomocą takiej pętelki, albo ryzykowne lutowanie wprost do obudowy co mogło się skończyć przegrzaniem delikatnej struktury germanowo-indowej. Prawdopodobnie więc z tego powodu farba z obudowy został zdarta aby umożliwić dobry styk bazy ale fakt wyprowadzenia bazy na obudowę był również źródłem problemów bo stosunkowo duża metalowa obudowa tranzystora stwarzała znaczne ryzyko przypadkowego zwarcia.
L.J.