To forum używa plików cookies
To forum wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji o Twoim logowaniu, jeśli jesteś zarejestrowany, oraz informacji o Twojej ostatniej wizycie, jeśli nie jesteś zalogowany. Pliki cookies to niewielkie pliki tekstowe zapisywane na Twoim komputerze; cookies ustawiane przez to forum mogą być używane wyłącznie na tej stronie i nie stanowią zagrożenia dla bezpieczeństwa. Cookies na tym forum śledzą również, które tematy zostały przez Ciebie przeczytane oraz kiedy miało to miejsce. Prosimy o potwierdzenie, czy akceptujesz, czy odrzucasz zapisywanie tych plików cookies.

Niezależnie od wyboru w Twojej przeglądarce zostanie zapisany plik cookie, aby zapobiec ponownemu zadawaniu tego pytania. W każdej chwili będziesz mógł zmienić ustawienia cookies, korzystając z linku w stopce strony.

Ocena wątku:
  • 0 głosów - średnia: 0
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
szerokopasmowe wzmacniacze na różnych tranzystorach
#28
Jeszcze jedna sprawa.
Jaki jest wzór na Lg.
W jednym opracowaniu
Indukcyjność główna obwodu pierwotnego nie może być mniejsza :
1. Lg> Ro /4 x PI x Fd
Ro – rezystancja obciążenia - 50om
Fd - częstotliwosć dolna wzmacniacza 1,8Mhz Lg > 2,2uH

W drugim opracowaniu
2. Lg > 4 x Ro / 2pi x Fd Lg=17.69uH

Która opcja jest prawidłowa ?
Andrzej
Cytuj


Wiadomości w tym wątku

Skocz do:


Użytkownicy przeglądający ten wątek: 1 gości