szerokopasmowe wzmacniacze na różnych tranzystorach

[SP6MJS]

Dopasowałem rezystory i nie zastanawiałem się czy taki sposób zasilania G
czy inny.Taki jest.W oczekiwaniu na RD70HHF1 które już jadą,powróciłem do maltretowania MRF186.Precyzyjnie dobrałem jeszcze raz owe rezystory.
Wyszło nie 12om ale 10om.

Dobór tego rezystora to poprzez pomiar |Z| wejściowego na 50ohm?

Pod RD70HHF1 będę przerabiał PCB to mogę wykorzystać Twoją propozycję.
Tylko nie podoba mi się ten sposób zamknięcia Tr1 rezystorem 12om.

Kol. PD7MAA oraz OE1CGS własnie zalecali montaż rezystora w tym miejscu, rzekomo poprawiający dopasowanie wejścia właśnie (co prawda nie do równego |Z|=50 ale po jego zamontowaniu jest lepiej niż bez tego rezystora (z ich tabelki wychodzi, że dla tranzystora IRF530N najlepiej SWR był dla wartości 15ohm, źle oznaczyłem to na schemacie powyżej).

Jak już to dałbym rezystor między środkiem perka a środkiem uzwojenia, czyli od 3 Tr4 do C11,
dobierając |Z| wejściowe układu.
Według tego wzoru. W6PQL

Właśnie patrząc na ten schemat zauważyłem, że również kol. R3KBO w 1.2 KW LDMOS BLF188XR stosuje zasilanie BIAS wg środkowego odczepu Tr1, ale tylko jeśli tranzystory są w jednej strukturze fizycznej (np jak MRF9180) i właśnie rezystor 10R jest szeregowo pomiędzy Prkiem a środkowym odczepem.
Tutaj np. są 2 fizyczne tranzystory i każdy ma osobną regulację BIAS: R3KBO HF amp 300w 2x SD2933

Ostatnią rzeczą, która się mi jeszcze bardziej zagadkowa zrobiła, jest funkcja L1 Cs1 (L2 Cs2) szeregowo pomiędzy wtórym Tr1 a G Tranzystorów (na schemacie dla modelu do BUK452), a w twoim prototypie do badań pozostał tylko kondensator Cs 100n ? Czy usunięcie cewki było celowe, a kondensator tutaj został przypadkiem, czy jak ?

Znalazłem jeszcze coś takiego od kol. PA0FRI
Można to kupić kit 45W na eBay, był tez jego opis w ŚR 2017/07 załącznik od SQ1GYQ.
W tym układzie jest:

• szeregowy dwójnik RC tuż przed G Tranzystora
  
• kondensatory na wyjściu z Tr1
  
• uzwojenie wtórne Tr1 jest obciążone symetrycznie 2xR=20ohm na środku do masy