Czyżby temat umarł?
Nie może być zwory zamiast rezystora 3k3. Wyrzucasz go z układu i tyle.
Myślę, że zanim zaczniemy ciąć i wiercić fajnie by było nauczyć się liczyć takie układy.
Ja jestem w trakcie "samokształcenia", chciałbym aby ktoś sprawdził czy dobrze rozumuję:
Indukcyjność L1 powinna być w rezonansie z równoległą pojemnością tranzystora. Pojemność wyjściowa FETa to 250p. Aby rezonans zaistniał, należałoby dołączyć kondensator 1.6n między drenem a masą.
Obliczona pojemność wejściowa FETa to 1100p plus kondensator *220p daje razem 1320p. W katalogu brak danych nt. pojemności C-E więc jest pomijana w obliczeniach. Indukcyjność cewki w kolektorze musi mieć zatem 1.4uH.
#####
Maksymalne napięcie które chcemy uzyskać na G tranzystora to 3Vpp czyli 2.1Vrms.
2.1*2.1/82.5om=0.053W i taką moc musimy dostarczyć do bramki tranzystora. Przy 82omach będzie to prąd 0.025A.
Na rezystorze 10om spadek napięcia wyniesie 0.25V więc tyle można dodać do napięcia na kolektorze drivera.
2.35V na kolektorze minus spadek na CE 0.5V daje 1.85V na rezystorze emiterowym 4.7om czyli w obwodzie tranzystora będzie płynął prąd 0.39A.
Oporność złącza C-E w takim razie wynosi 2.35V/0.39A=6om
Ib=0.39A/25=0.0156A - taki prąd potrzebny jest na bazie drivera.
Ogromnym utrudnieniem są szczątkowe informacje na temat tranzystora BD135.
Btw. Co myślicie o zastąpieniu cewek powietrznych, cewkami na toroidach Amidona?
