Kontroler syntezy PC01

[SP6FRE]

Witam!
Budując wzmacniacz kierowałem się oryginalnym opisem WA2EBY z marca 1999r. Tamże znalazłem informację dotyczącą mniejszych wymagań dotyczących pętli zwrotnej stabilizacji termicznej dla MOSFET-ów.
Ponieważ ze wzrostem prądu drenu rośnie napięcie odcięcia a także ze wzrostem temperatury rośnie oporność kanału źródło-dren to oba te efekty działają stabilizująco na pracę tranzystora stanowiąc naturalną pętlę zwrotną ze względu na temperaturę.
Oczywiście szybkie przekroczenie temperatury dopuszczalnej złącza skutkuje lawinowym przebiciem ale w tym przypadku nie zamierzam narażać tranzystorów na pracę w pobliżu warunków granicznych - na przykład używam dość niskiego zasilania.
Potwierdziłem w notce katalogowej dla IRF510, że faktycznie oporność kanału rośnie z temperaturą. I tak przy wzroście temperatury od 20 do 140 stopni oporność ta rośnie dwukrotnie.
Niestety, nie udało mi się szybko potwierdzić tej drugiej zależności ale "wierzę na słowo" autorowi ;-)
Patent z kilkoma diodami szeregowymi przypiętymi do obudowy bipolarnego tranzystora mocy stosuję, jako stabilizację termiczną, od najdawniejszych czasów (wstyd się przyznać, to jeszcze lata 80-te ubiegłego wieku!) ale nie szkodzi o tym przypominać :-)
A co z kolejnością włączenia mostka SWR?
L.J.