Pytanie : Czy Tr2 może być na materiale FT82-43 ?
Autor schematu mówi o pręcie ferrytowym. Ja bym wolał zrobić to na koraliku...
A jeszcze.... Czy przekaźniki mogą być na 12V/10Aper czy 30V ?
Przekaźniki pracują w szeregu 2x 12V czyli 24V i rezystor 560R- zasilamy z 30V. Czyli maja być na 12V. TR2 nawiń na T68-2 2x 11zwoi bifilarnie.
I oto mi chodziło !!
73! Pozdrawiam
Wzmacniacz nie jest fajny , z powodu zastosowanych w nim tranzystorów. IRFy są bardzo niestabilne temperaturowo , występuje w nich bardzo nieprzyjemne zjawisko run away , czyli niekontrolowany wzrost prądu spoczynkowego , aż do zniszczenia tranzystora. Remedium właściwie na to nie ma , pozostaje budowa wzmacniaczy małej mocy albo ekstremalnie wydajne chłodzenie tranzystorów, co w dalszym ciągu nie likwiduje niebezpieczeństwa odpalenia tranzystorów, ponieważ przy pracy liniowej , wszystkie tranzystory pracujące w układach przełączających , są niestabilne temperaturowo. Wiem co mówię , bo też miałem taki pomysł, i po stracie kilku tygodni , kilkuset złotych i worka odpalonych IRFów, zarzuciłem ten pomysł. Pozostają dwa rozwiązania .Zastosować normalne tranzystory np MRF300 , albo popracować nad chłodzeniem rzeczonych tranzystorów , czyli polerować powierzchnie styku termicznego , stosowanie extremalnie cienkie warstwy pasty , i wielką przekładkę miedzianą na wielkim radiatorze , ew chłodzenie ogniwami Peltiera. Jak dla mnie , gra nie jest warta świeczki .
(15-12-2024 14:48)SP9CNN napisał(a): [ -> ]Wzmacniacz nie jest fajny , z powodu zastosowanych w nim tranzystorów. IRFy są bardzo niestabilne temperaturowo , występuje w nich bardzo nieprzyjemne zjawisko run away , czyli niekontrolowany wzrost prądu spoczynkowego , aż do zniszczenia tranzystora. Remedium właściwie na to nie ma...
Remedium na to jest.
Wystarczy na dodatkowej małej płytce umieszconej na radiatorze posadowić 5 diód 1N4158 w wersji SMD w pobliżu tranzystorów mocy. Do tej płytki doprowadzamy trzy przewody.
Pozostała część układu może być umieszczona w dowolnym innym miejscu. Diody są połączone szeregowo. Potencjometry regulacji prądu spoczynkowego umieszcza się pomiędzy trzecią a ostatnią diodą licząc od strony masy. Diody zasila się ze źródła prądowego np. układu LM317 z jednym rezystorem. Przy wysokim napięciu zasilnia jak tutaj zamiast źródła prądowego wystarczy jedynie rezystor.
Stabilizacja działa pewnie , zmiany ustawionego prądu nie przekracają 10%.
W zależności od ustawienia PRków - w dół lekkie niedokompensowanie, w górę lekkie przekompensowanie (w przedziale 10%). Przy pewnej dozie szczęścia (odpowiednie napięcie progowe tranzystora) można trafić dość dokładnie w punkt kompensacji.
Druga metoda polega na zastosowaniu zamiast diód 1N4148 dwóch diód zenera na napięcie około 3V połączonych szeregowo, które również dobrze kompensują temperaturę w mosfetach. Ten sposób wykorzystano we wzmacniaczu 500W zasilanym napięciem 50V (typowy zasiilacz 48V).
Na płytce umieszczamy tym razem dwie diody i dochodzą do niej tylko dwa przewody. PRki podłączone między pierwszą a ostatnią diodę.
Nie mam teraz czasu na rysowanie schematów, ale chyba wiadomo o co chodzi.
Diody zenera mają różną zależność współczynnika temperatury w zależności od napięcia. Punkt zmiany znaku jest przy 6V. Dlatego należy stosować dwie zenerki na 3,3V a nie jedną na 6V.
Dziękuję Ci , Henryku , za odpowiedź na mój wpis i podjęcie tematu. Mimochodem , udało się wprowadzić na forum kwestię stabilności temperaturowej tranzystorów HEXFET, chociaż może właściwym byłoby założyć nowy wątek. Przeczytałem mój wpis raz jeszcze , i przyznam że opinie zawarte w nim są dosyć radykalne , a spowodowane jest to wspomnieniem wprost niebywałej frustracji wywołanej nieudanymi eksperymentami. Owszem , przeprowadziłem sporo testów z różnymi diodami , i te stabilizowały prąd spoczynkowy. Bajka kończyła się w momencie wysterowania tranzystorów , wtedy po niewielkim nagrzaniu , prąd tranzystora , w ciągu dziesiątek milisekund narastał aż do wartości wysadzających tranzystory. Powód jest prosty. Gdy mamy tylko sam prąd spoczynkowy , to tranzystor ma ustabilizowaną temperaturę i nic się nie dzieje.Po doprowadzeniu mocy sterującej rośnie temperatura i rezystancja drenu, co znowu powoduje wzrost temperatarury , i finalnie lawinowy wzrost prądu aż do odpalenia tranzystora. Niestety dioda , chyba , nie zdąży się rozgrzać i zredukować prądu. Mam na myśli próbę budowy normalnego wzmacniacza , np na 4 stosownych mosfetach , dla mocy output powiedzmy 200W , a nie dla drivera 20W. Na zaprezentowanym schemacie widać zasilanie 30V , co już mocno pretenduje do odpalenia w kosmos w\w IRFów. Jakimś zabezpieczeniem jest ograniczenie prądowe zasilacza , ale ono nie zawsze zdoła ochronić układ, zresztą to nie o to chodzi. Widziałem gdzieś układ wzmacniacza na 20 tranzystorach na olbrzymim radiatorze i to miało działać , pewnie tak było. Ale to tylko potwierdza moje obserwacje. 20 tranzystorów, po 10 na każdą stronę redukuje moc rozpraszania i nagrzewanie tranzystorów , kwestię pojemności pomijam, czyli wracamy do punktu wyjścia. Mamy do czynienia z wprost niebywale trudnym do opanowania i niestabilnym układem. Tutaj , moim zdaniem , nie wystarczą trywialne rozwiązania.Tutaj potrzeba finezyjnego i skutecznego tricku układowego. Jeszcze żeby podsumować wywód, nie mam zamiaru kogokolwiek zniechęcać do eksperymentów , czy też się wymądrzać , ale uczulić wszystkich na ten problem i zabezpieczenie odpowiedniego zapasu cierpliwości i..tranzystorów.W jakimś tam bliżej nieokreślonym , przyszłym czasie, postaram się przetestować sposób opisany przez Ciebie , Henryku. Na dnie wora jeszcze zostało mi trochę HEXFETów . Z najserdeczniejszymi , świątecznymi pozdrowieniami dla Ciebie i wszystkich czytelników Forum , Grzegorz.
Postaram się wrzucić schematy. Jak je poprawnie wykonasz - zapomnisz o problemie. Są jeszcze inne bardziej rozbudowane układy stabilizacji stosowane w profesjonalnej aparaturze, ale te zapodane w #5 są pbardzo proste i wystarczająco skuteczne.
Ważne jest to aby diody SMD umieścić na dwustronnej płytce i potem przykręcić płytkę do radiatora jak najbliżej tranzystorów.
Występuje z początku pewne nieduże wahnięcie prądu spoczynkowego po rozpoczęciu nadawania, ale to trwa tylko przez chwilę zanim temperatura się nie wyrówna. Wpływ ma na to grubość laminatu i miejsce umieszczenia płytki na radiatorze. Diody koniecznie muszą być SMD przylutowane bezpośrednio do miedzi na laminacie. Wtedy temperatura dość szybko się wyrównuje, a wahnięcie prądu nie przekracza 10-20%. Przy dużym radiatorze, który z natury powoli się nagrzewa możesz tego zjawiska nawet nie zauważyć.
Wykonałem kilkadziesiąt wzmacniaczy z tymi układami i problemów, o których piszesz nie było. Miałem też zrobione zdjęcia tej dodatkowej płytki i sposobu jej umieszczenia, ale nie wiem czy odnajdę.
Obecnie małe wzmacniacze buduję wyłącznie na RD07.
Na mosfetach stworzonych do kluczowania nadal od czasu do czasu jeszcze buduję. Największa moc jaką uzyskałem to 800W. zdjęcia kiedyś na tym forum umieściłem, ale nie wiem czy jeszcze są.
http://sp-hm.pl/thread-591-post-4588.html#pid4588
http://sp-hm.pl/thread-591-post-4600.html#pid4600
Do tej pory używam zrobionego 20 lat temu wzmacniacza 150W na IRF710. Pracuje znakomicie. Z pewnością są tu koledzy, którzy ten wzmacniacz słyszeli, a zasilam go prosto z sieci napięciem około 300V.
Proponuję zakończyć i nie rozwijać dalej tematu, gdyż kolega SQ8NZD i tak nie skorzysta z tej pracy. Kolega jest na innym etapie, w związku z tym potrzebuje konkretnych gotowych i działających schematów.
Jeżeli chcecie rozwijać tematy projektowania to proponuję przenieść dyskusję do osobnego wątku. Może w nowym wątku ktoś narysuje schemat zastępczy tranzystorów IRF w oparciu o własne pomiary parametrów. Ciekawa by była symulacja obwodu wejściowego dla IRFxxx, który ma z 10x większą pojemność wejściową i jeszcze większą pojemność Millera niż tranzystor użyty w tej pracy.
Na str79 tej pracy jest tabelka impedancji we tranzystora. Chętnie bym obejrzał taką tabelkę zrobioną dla tranzystorów IRFxxx.
Ogólnie tematy są bardzo ciekawe, ale w nowym wątku. Nie wiem jak go zatytułować, może ktoś ma pomysł...